Galliumnitrid (GaN) ist eine Halbleiterverbindung mit großer Bandlücke, die gegenüber herkömmlich verwendetem Silizium viele Vorteile bietet. Die Verwendung von GaN als Transistor in Schaltanwendungen kann die Effizienz erhöhen, den Formfaktor verringern und den Betriebstemperaturbereich erweitern. Daher eignet sich GaN perfekt für Desktopadapter und andere Stromwandlungsanwendungen, bei denen ein hoher Wirkungsgrad und ein kleiner Formfaktor gewünscht werden.
Die Abnahme der Schaltverluste durch GaN ermöglicht höhere Schaltfrequenzen und eine höhere Leistungsdichte. Diese technologischen Verbesserungen ermöglichen die Verwendung kleinerer interner Komponenten und führen zu kompakteren Stromversorgungen. GaN-Desktopadapter bieten eine leichtere Option für Anwendungen, bei denen eine tragbare Stromversorgung und Produktästhetik Vorrang haben.
GaN hat im Vergleich zu Siliziumtransistoren einen geringeren Einschaltwiderstand. Dies erhöht den Wirkungsgrad durch geringere Leitfähigkeitsverluste. GaN hat auch niedrigere Gate- und Ausgangsladungen als Siliziumtransistoren und eine Sperrrückgewinnungsladung nahe null. Infolgedessen ist GaN weitaus effizienter als herkömmliche Siliziumtransistoren.
Aufgrund der großen Bandlücke bieten GaN-Materialien im Vergleich zu Silizium eine bessere Wärmeleitfähigkeit. In Verbindung mit einem höheren Wirkungsgrad ermöglicht dies den Betrieb bei höheren Temperaturen und eine effizientere Kühlung von GaN-Geräten. So bleibt Ihr Adapter kühl und vor Hitzeschäden geschützt.
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160 W, GaN Tech, dreipoliger (C14) Eingang, Desktopadapter, AC/DC-Netzteil
Jetzt anzeigen160 W, GaN Tech, zweipoliger (C8) Eingang, Desktopadapter, AC/DC-Netzteil
Jetzt anzeigen200 W, GaN Tech, dreipoliger (C14) Eingang, Desktopadapter, AC/DC-Netzteil
Jetzt anzeigen200 W, GaN Tech, zweipoliger (C8) Eingang, Desktopadapter, AC/DC-Netzteil
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